TSM2NB60CH C5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

9.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

44 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.5 S

Abfallzeit:

12.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.8 ns

Werkspackungsmenge:

1875

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.1 ns

Gewichtseinheit:

0.012102 oz

Tags

TSM2NB60CH, TSM2NB60, TSM2NB, TSM2N, TSM2, TSM