SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3
Mfr. #:
SI5509DC-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI5509DC-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR
Paket-Koffer
8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
1206-8 ChipFET
FET-Typ
N- und P-Kanal
Leistung max
4.5W
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
455pF @ 10V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
6.1A, 4.8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
6.6nC @ 5V
Tags
SI550, SI55, SI5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5A/3.9A 8-Pin Chip FET T/R
***ark
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 1206
***ment14 APAC
MOSFET, N & P CH, 20V, 6.1A, CHIPFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI5509DC-T1-E3
DISTI # SI5509DC-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI5509DC-T1-E3
    DISTI # SI5509DC-T1-E3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SI5509DC-T1-E3
      DISTI # SI5509DC-T1-E3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SI5509DC-T1-E3
        DISTI # 781-SI5509DC-T1-E3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)
        RoHS: Compliant
        0
          Bild Teil # Beschreibung
          SI5509DC-T1-E3

          Mfr.#: SI5509DC-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI5509DC-T1-E3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)
          SI5509DC-T1-GE3

          Mfr.#: SI5509DC-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI5509DC-T1-GE3-VISHAY

          MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
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