PBSS8510PA,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-2020-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

100 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

6 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

285

Höhe:

0.61 mm

Länge:

2.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.1 mm

Marke:

Nexperia

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

5.2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30

Pd - Verlustleistung:

2.1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

PBSS85, PBSS8, PBSS, PBS