NVMFD5853NLWFT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-5x6-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

34 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.4 mOhms, 8.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

23 nC, 23 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

24 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

NVMFD5853NL

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

22 S, 22 S

Abfallzeit:

4.3 ns, 4.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns, 23 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns, 22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns, 9 ns

Tags

NVMFD5853NL, NVMFD5853, NVMFD585, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM