IRFP064VPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

130 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

173.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.7 mm

Länge:

15.87 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

HEXFET Leistungs-MOSFET

Breite:

5.31 mm

Marke:

Infineon / IR

Abfallzeit:

150 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

200 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Teil # Aliase:

SP001556686

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

IRFP06, IRFP0, IRFP, IRF