APT27ZTR-G1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

450 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

9 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

500 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.6 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

APT27

DC-Stromverstärkung hFE Max:

40 at 100 mA, 10 V

Verpackung:

Munitionspackung

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.8 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

6 at 300 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

APT27, APT2, APT