SI4362BDY-T1-E3

SI4362BDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4362BDY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 19.8A 6.6W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4362BDY-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Produktkategorie
IC-Chips
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI4362BDY-E3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOIC-Narrow-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
7 ns 8 ns
Anstiegszeit
11 ns 10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
19.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
4.6 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
41 ns 47 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
26 ns 12 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4362, SI436, SI43, SI4
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***i-Key
MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4362BDY-T1-E3
DISTI # SI4362BDY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4362BDY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4362BDY-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 19.8A 6.6W
    RoHS: Compliant
    0
    • 1:$2.6800
    • 10:$2.2200
    • 100:$1.7200
    • 500:$1.5100
    • 1000:$1.2500
    • 2500:$1.1700
    • 5000:$1.1200
    Bild Teil # Beschreibung
    SI4362BDY-T1-E3

    Mfr.#: SI4362BDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4362BDY-T1-E3

    MOSFET 30V 19.8A 6.6W
    SI4362BDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4362BDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4362BDY-T1-GE3

    MOSFET 30V 19.8A 6.6W 4.6mohm @ 10V
    SI4362BDY-T1-E3

    Mfr.#: SI4362BDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4362BDY-T1-E3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 19.8A 6.6W
    SI4362BDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4362BDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4362BDY-T1-GE3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 19.8A 6.6W 4.6mohm @ 10V
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