2SD1857TV2P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

120 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

120 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

80 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

82 at 100 mA, 5 V

Höhe:

4.4 mm

Länge:

6.8 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

2.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

82

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SD1857T, 2SD1857, 2SD185, 2SD18, 2SD1, 2SD