SIR696DP-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

125 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

24.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET, PowerPAK

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.04 mm

Länge:

6.15 mm

Serie:

HERR

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

37 S

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

SIR69, SIR6, SIR