AUIRFN8401TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

84 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

44 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

4.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.83 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

144 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.1 ns

Teil # Aliase:

SP001522256

Tags

AUIRFN8401, AUIRFN840, AUIRFN8, AUIRFN, AUIRF, AUIR, AUI