KSB1366YTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

E

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220F-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

9 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

KSB1366

DC-Stromverstärkung hFE Max:

320

Höhe:

9.19 mm

Länge:

10.16 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 3 A

Pd - Verlustleistung:

25 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

KSB1366YTU_NL

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

KSB136, KSB13, KSB1, KSB