STD2NC45-1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

450 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

30 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.2 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STD2NC45-1

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STD2NC4, STD2NC, STD2N, STD2, STD