RTL020P02TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363T-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.77 mm

Länge:

2 mm

Serie:

RTL020P02

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.7 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

RTL020P02

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

RTL020P02T, RTL020P, RTL02, RTL0, RTL