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SI4884DY-T1-E3

SI4884DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4884DY-T1-E3
Hersteller:
VISHAY
Beschreibung:
MOSFET 30V 12A 2.95W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4884DY-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
IC-Chips
Tags
SI4884DY-T, SI4884D, SI4884, SI488, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***eco
N-CH MOSFET SO-8 30V 10.5MOHM @ 10V QG 20NC
***ark
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:12A; On-Resistance, Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC; Drain-Source Breakdown Voltage:30V RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, 8-SOIC; Transistor type:TrenchFET; Voltage, Vds typ:30V; Current, Id cont:12A; Resistance, Rds on:0.0105R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:1V; Case style:SO-8 (SOIC-8); Termination Type:SMD; Transistor polarity:N
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4884DY-T1-E3
DISTI # 781-SI4884DY-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 12A 2.95W
RoHS: Compliant		0
    SI4884DY-T1-E3Vishay Intertechnologies 2391
      SI4884DY-T1-E3Vishay Siliconix 1448
        Bild Teil # Beschreibung
        SI4884DY

        Mfr.#: SI4884DY

        OMO.#: OMO-SI4884DY-1190

        		 MOSFET 30V 12A 2.95W
        SI4884DY-T1

        Mfr.#: SI4884DY-T1

        OMO.#: OMO-SI4884DY-T1-1190

        		 MOSFET 30V 12A 2.95W
        SI4884DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4884DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4884DY-T1-E3-1190

        		 MOSFET 30V 12A 2.95W
        SI4884DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4884DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4884DY-T1-GE3-1190

        		 Neu und Original
        SI4884DYQ

        Mfr.#: SI4884DYQ

        OMO.#: OMO-SI4884DYQ-1190

        		 Neu und Original
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