SI7998DP-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A, 30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

26 nC, 48 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

22 W, 40 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SI7

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

45 S, 71 S

Abfallzeit:

10 ns, 13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 17 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns, 35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns, 26 ns

Teil # Aliase:

SI7998DP-GE3

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

SI799, SI79, SI7