BD436TG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-225-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

32 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

32 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

3 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

11.04 mm (Max)

Länge:

7.74 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

2.66 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

36 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.068784 oz

Tags

BD436T, BD436, BD43, BD4