2N7002LT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

115 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.94 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

2N7002L

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.3 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mS

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

2N7002LT, 2N7002L, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7