FJN965BU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

600

Höhe:

4.58 mm

Länge:

4.58 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

3.86 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

230

Pd - Verlustleistung:

750 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

FJN96, FJN9, FJN