APT28F60B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

170 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

140 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

520 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

27 S

Abfallzeit:

29 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

36 ns

Werkspackungsmenge:

74

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

95 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

31 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

APT28, APT2, APT