FCPF4300N80Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, 30 V

Qg - Gate-Ladung:

6.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

19.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperFET II

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.07 mm

Länge:

10.36 mm

Serie:

FCPF4300N80Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.52 S

Abfallzeit:

16 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

FCPF4, FCPF, FCP