TK5A60D(STA4,Q,M)

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

16 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

35 W

Aufbau:

Single

Höhe:

15 mm

Länge:

10 mm

Serie:

TK5A60D

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3 S

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

40 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

TK5A60D(S, TK5A60D, TK5A60, TK5A6, TK5A, TK5