RN1901,LF(CT

RN1901,LF(CT
Mfr. #:
RN1901,LF(CT
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1901,LF(CT Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RN1901,LF(CT DatasheetRN1901,LF(CT Datasheet (P4-P6)RN1901,LF(CT Datasheet (P7)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-363-6
Polarität des Transistors:
NPN
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
50 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
10 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
100 mV
Maximaler DC-Kollektorstrom:
100 mA
Bandbreitenprodukt fT gewinnen:
250 MHz
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1901
Verpackung:
Spule
Marke:
Toshiba
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
30
Pd - Verlustleistung:
200 mW
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Gewichtseinheit:
0.000265 oz
Tags
RN1901, RN190, RN19, RN1
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Packaging Boxes
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363
***i-Key
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Bild Teil # Beschreibung
RN1901FETE85LF

Mfr.#: RN1901FETE85LF

OMO.#: OMO-RN1901FETE85LF

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
RN1901FETE85LF

Mfr.#: RN1901FETE85LF

OMO.#: OMO-RN1901FETE85LF-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
RN1901T5RSNDFT

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OMO.#: OMO-RN1901T5RSNDFT-1190

Neu und Original
RN1901FETE85LFCT-ND

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RN1901FETE85LFTR-ND

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RN1901TE85L

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Verfügbarkeit
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Available
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