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RN1104MFV(TPL3)

RN1104MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1104MFV(TPL3)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1104MFV(TPL3) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
47 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
1
Montageart:
SMD/SMT
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
80
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1104MFV
Verpackung:
Spule
DC-Stromverstärkung hFE Max:
80
Marke:
Toshiba
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1104MFV, RN1104M, RN1104, RN110, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
In a Pack of 50, Toshiba, RN1104MFV(TPL3) NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 47 kΩ, Ratio Of 1, 3-Pin VESM
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RN1104MFV(TPL3)
DISTI # 757-RN1104MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
RoHS: Compliant		0
    RN1104MFV(TPL3)
    DISTI # 580064    		Toshiba America Electronic ComponentsTR.+VIASRES. NPN VCEO=50V IC=150MA VESM, PK150
    • 50:£0.0540
    • 200:£0.0320
    • 500:£0.0290
    • 1000:£0.0280
    • 2000:£0.0280
    Bild Teil # Beschreibung
    RN1104MFV(TL3,T)

    Mfr.#: RN1104MFV(TL3,T)

    OMO.#: OMO-RN1104MFV-TL3-T-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
    RN1104MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1104MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1104MFV-TPL3-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN1104MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1104MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1104MFV-TPL3--123

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN1104MFV(TL3,T)

    Mfr.#: RN1104MFV(TL3,T)

    OMO.#: OMO-RN1104MFV-TL3-T--123

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
    RN1104MFV,L3F

    Mfr.#: RN1104MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1104MFV-L3F-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW TRANSISTOR
    RN1104MFVL3FCT-ND

    Mfr.#: RN1104MFVL3FCT-ND

    OMO.#: OMO-RN1104MFVL3FCT-ND-1190

    		 Neu und Original
    RN1104MFVL3FDKR-ND

    Mfr.#: RN1104MFVL3FDKR-ND

    OMO.#: OMO-RN1104MFVL3FDKR-ND-1190

    		 Neu und Original
    RN1104MFVL3FTR-ND

    Mfr.#: RN1104MFVL3FTR-ND

    OMO.#: OMO-RN1104MFVL3FTR-ND-1190

    		 Neu und Original
    RN1104MF

    Mfr.#: RN1104MF

    OMO.#: OMO-RN1104MF-1190

    		 Neu und Original
    RN1104MFV

    Mfr.#: RN1104MFV

    OMO.#: OMO-RN1104MFV-1190

    		 Neu und Original
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    3000
    Menge eingeben:
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