SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7100DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7100DN-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
SI71xxDx
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7100DN-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAK-1212-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3.8 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 50 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
26.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
8 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
3.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SI7100D, SI7100, SI710, SI71, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 8V 26.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7100DN-T1-GE3
DISTI # SI7100DN-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI7100DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SI7100DN-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI7100DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7100DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7100DN-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
      SI7100DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7100DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7100DN-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
      SI7100DN

      Mfr.#: SI7100DN

      OMO.#: OMO-SI7100DN-1190

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