TPCP8J01(TE85L,F,M

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PS8-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal, NPN

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

32 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

27 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

34 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.06 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

TPCP8J01

Transistortyp:

1 P-Channel, NPN

Typ:

Feldeffekttransistor Silizium P-Kanal MOS-Typ

Breite:

2.4 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

90 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.8 ns

Tags

TPCP8J01(T, TPCP8J, TPCP8, TPCP, TPC