SSM3K72CFS,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-416-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

170 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

350 pC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

1.6 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

0.8 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

450 mS

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2 ns

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

SSM3K72C, SSM3K72, SSM3K7, SSM3K, SSM3, SSM