2N4910 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-66-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.6 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

3 MHz

Serie:

2N49

DC-Stromverstärkung hFE Max:

150 at 500 mA

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20 at 500 mA

Pd - Verlustleistung:

25 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N491, 2N49, 2N4