DMN3018SSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

21 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

13.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN3018

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

4.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.4 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.3 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMN3018SSS, DMN3018SS, DMN3018, DMN301, DMN30, DMN3, DMN