IPB114N03L G

IPB114N03L G
Mfr. #:
IPB114N03L G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 30V 30A D2PAK-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB114N03L G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
30 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
11.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
38 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.4 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.25 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
2.4 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
3 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
3.8 ns
Teil # Aliase:
IPB114N03LGXT
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IPB114, IPB11, IPB1, IPB
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
***el Nordic
Contact for details
***nell
MOSFET, N CH, 30A, 30V, PG-TO263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Po
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB114N03L G
DISTI # IPB114N03LG-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    IPB114N03L G
    DISTI # 726-IPB114N03LG
    Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 30V 30A D2PAK-2
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      IPB114N03L G

      Mfr.#: IPB114N03L G

      OMO.#: OMO-IPB114N03L-G

      MOSFET N-Ch 30V 30A D2PAK-2
      IPB114N03L

      Mfr.#: IPB114N03L

      OMO.#: OMO-IPB114N03L-1190

      Neu und Original
      IPB114N03L G

      Mfr.#: IPB114N03L G

      OMO.#: OMO-IPB114N03L-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
      IPB114N03LG

      Mfr.#: IPB114N03LG

      OMO.#: OMO-IPB114N03LG-1190

      Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      1000
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von IPB114N03L G dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Beginnen mit
      Top