PMCXB900UEZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-1010B-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

600 mA, 500 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

470 mOhms, 1.02 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV, 950 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

700 pC, 2.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

380 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1 S, 480 mS

Abfallzeit:

51 ns, 6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.2 ns, 5 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns, 13.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.6 ns, 2.3 ns

Gewichtseinheit:

0.000042 oz

Tags

PMCXB9, PMCX, PMC