FJP5554TU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

1.05 kV

Emitter- Basisspannung VEBO:

15 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

FJP5554

Höhe:

9.4 mm (Max)

Länge:

10.1 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.7 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

45

Pd - Verlustleistung:

75 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

FJP55, FJP5, FJP