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GB02SHT01-46

GB02SHT01-46
Mfr. #:
GB02SHT01-46
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
GB02SHT01-46 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
GB02SHT01-46 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
GeneSiC Halbleiter
Produktkategorie:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
RoHS:
Y
Produkt:
Schottky-Siliziumkarbid-Dioden
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-46-2
Wenn - Vorwärtsstrom:
4 A
Vrrm - Repetitive Sperrspannung:
100 V
Vf - Durchlassspannung:
1.6 V
Ifsm - Vorwärtsstoßstrom:
10 A
Aufbau:
Single
Technologie:
SiC
Ir - Gegenstrom:
1 uA
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 225 C
Verpackung:
Schüttgut
Betriebstemperaturbereich:
- 55 C to + 225 C
Marke:
GeneSiC Halbleiter
Pd - Verlustleistung:
64 W
Produktart:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Dioden & Gleichrichter
Tags
GB02SH, GB02S, GB02, GB0
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Sic Schottky Diode, 4A, 100V, To-206Ab
High-Temperature SiC Transistors and Rectifiers
GeneSiC Semiconductor High-Temperature SiC Transistors and Rectifiers are compact, high-temperature SiC Junction Transistors (SJTs) and rectifiers in a TO-46 package. These discrete components are designed to operate at temperatures of over 225°C. The use of high voltage, low RDS(ON) SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size and weight of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
GB02SHT01-46
DISTI # 1242-1254-ND		GeneSic Semiconductor IncDIODE SCHOTTKY 100V 4A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		19In Stock
  • 100:$37.0719
  • 10:$42.7560
  • 1:$45.7200
GB02SHT01-46
DISTI # 905-GB02SHT01-46		GeneSic Semiconductor IncSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
RoHS: Compliant		30
  • 1:$44.8300
  • 5:$43.5800
  • 10:$41.7800
  • 25:$38.7700
  • 50:$38.2800
  • 100:$36.3500
Bild Teil # Beschreibung
INA190A3IRSWR

Mfr.#: INA190A3IRSWR

OMO.#: OMO-INA190A3IRSWR

 Current Sense Amplifiers LV CURRENT SENSE MONITOR VS 1.8V TO 5.5V
INA190A4IRSWR

Mfr.#: INA190A4IRSWR

OMO.#: OMO-INA190A4IRSWR

 Current Sense Amplifiers LV CURRENT SENSE MONITOR VS 1.8V TO 5.5V
BCP56-10HX

Mfr.#: BCP56-10HX

OMO.#: OMO-BCP56-10HX

 Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN md power transistors
RP73PF1E30K1BTDF

Mfr.#: RP73PF1E30K1BTDF

OMO.#: OMO-RP73PF1E30K1BTDF

 Thin Film Resistors - SMD HP PrecisionResistor 1E 0.1W 30K1
BCP56-10HX

Mfr.#: BCP56-10HX

OMO.#: OMO-BCP56-10HX-NEXPERIA

 TRANS NPN 80V 1A SC73
INA190A3IRSWR

Mfr.#: INA190A3IRSWR

OMO.#: OMO-INA190A3IRSWR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Low Supply, Voltage Output, Low- or High-Side Measurement, Bidirectional,Zero-Drift Series, Current-
INA190A4IRSWR

Mfr.#: INA190A4IRSWR

OMO.#: OMO-INA190A4IRSWR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Low Supply, Voltage Output, Low- or High-Side Measurement, Bidirectional,Zero-Drift Series, Current-
Verfügbarkeit
Aktie:
60
Auf Bestellung:
2043
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Der aktuelle Preis von GB02SHT01-46 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
44,83 $
44,83 $
5
43,58 $
217,90 $
10
41,78 $
417,80 $
25
38,77 $
969,25 $
50
38,28 $
1 914,00 $
100
36,35 $
3 635,00 $
250
33,93 $
8 482,50 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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