NP90N06VLG-E1-AY

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Renesas Elektronik

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

90 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

105 W

Verpackung:

Spule

Marke:

Renesas Elektronik

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

66 S

Abfallzeit:

7 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

76 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

NP90N06, NP90N, NP90, NP9