DMG7N65SCT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220AB-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

25.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

125 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

DMG7N, DMG7, DMG