NTD50N03RT4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

45 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

50 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

15 S

Abfallzeit:

6.8 ns, 4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.6 ns, 84 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11.2 ns, 15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.2 ns, 5 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD50N03RT, NTD50N03R, NTD50N03, NTD50N, NTD50, NTD5, NTD