NTB75N06T4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

75 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

214 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.29 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40.2 S

Abfallzeit:

100 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

112 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

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