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2SK3845(Q)

2SK3845(Q)
Mfr. #:
2SK3845(Q)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
2SK3845(Q) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3PN-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
5.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
125 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Höhe:
20 mm
Länge:
15.5 mm
Serie:
2SK3845
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
130 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
130 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
400 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
45 ns
Gewichtseinheit:
0.245577 oz
Tags
2SK3845, 2SK384, 2SK38, 2SK3, 2SK
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
***ark
MOSFET, N CHANNEL, 70A, 60V, SC-65
***nell
MOSFET, N CH, 70A, 60V, T0247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 70A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 125W; Transistor Case Style: TO-3P; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jun-2015); Current Id Max: 70A; Termination Type: Through Hole; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
2SK3845(Q)
DISTI # 31043306		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
RoHS: Compliant		2000
  • 800:$1.6193
  • 100:$1.7212
  • 50:$2.0145
  • 10:$2.2567
2SK3845(Q)
DISTI # C1S751200271779		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
RoHS: Compliant		2000
  • 1600:$1.3100
  • 800:$1.3400
  • 100:$1.4300
  • 50:$1.6700
  • 10:$1.8700
  • 1:$2.2600
2SK3845(Q)
DISTI # 2SK3845(Q)		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN - Bulk (Alt: 2SK3845(Q))
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Bulk		Americas - 0
    2SK3845(Q)
    DISTI # 757-2SK3845(Q)    		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      2SK3827

      Mfr.#: 2SK3827

      OMO.#: OMO-2SK3827

      		 MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
      2SK3816-DL-E

      Mfr.#: 2SK3816-DL-E

      OMO.#: OMO-2SK3816-DL-E

      		 MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
      2SK3817-DL-E

      Mfr.#: 2SK3817-DL-E

      OMO.#: OMO-2SK3817-DL-E-ON-SEMICONDUCTOR

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
      2SK3811

      Mfr.#: 2SK3811

      OMO.#: OMO-2SK3811-1190

      		 Neu und Original
      2SK3850-TL-E

      Mfr.#: 2SK3850-TL-E

      OMO.#: OMO-2SK3850-TL-E-1190

      		 Neu und Original
      2SK3857MFV-B

      Mfr.#: 2SK3857MFV-B

      OMO.#: OMO-2SK3857MFV-B-1190

      		 Neu und Original
      2SK3857TK-A

      Mfr.#: 2SK3857TK-A

      OMO.#: OMO-2SK3857TK-A-1190

      		 Neu und Original
      2SK3878 9A/900V

      Mfr.#: 2SK3878 9A/900V

      OMO.#: OMO-2SK3878-9A-900V-1190

      		 Neu und Original
      2SK3880

      Mfr.#: 2SK3880

      OMO.#: OMO-2SK3880-1190

      		 Neu und Original
      2SK3850 K3850

      Mfr.#: 2SK3850 K3850

      OMO.#: OMO-2SK3850-K3850-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4000
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