ZTX788BSTZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

E-Line-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

15 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

15 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZTX788

DC-Stromverstärkung hFE Max:

500 at 10 mA, 2 V

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

500 at 10 mA, 2 V, 400 at 1 A, 2 V, 300 at 2 A, 2 V, 150 at 6 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZTX788BS, ZTX788B, ZTX788, ZTX78, ZTX7, ZTX