DSS4140V-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

DSS41

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 1 mA, 5 V

Höhe:

0.6 mm

Länge:

1.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A, 5 V, 75 at 2 A, 5 V

Pd - Verlustleistung:

600 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

DSS414, DSS41, DSS4, DSS