MJD2955-1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

70 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

10 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

2 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

10 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20

Pd - Verlustleistung:

20 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

MJD295, MJD29, MJD2, MJD