TSM70N900CI C0G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

ITO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

700 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

900 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

9.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

20 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

48 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

54 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Tags

TSM70N9, TSM70, TSM7, TSM