2SD1963T100S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

270 at 500 mA, 2 V

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

270

Pd - Verlustleistung:

2000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

2SD1963T, 2SD196, 2SD19, 2SD1, 2SD