STD20P3H6AG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

33 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

12.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

StripFET

Verpackung:

Spule

Serie:

STD20P3H6AG

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

6.25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28.2 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.4 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STD20, STD2, STD