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BSM35GD120DN2E3224

BSM35GD120DN2E3224
Mfr. #:
BSM35GD120DN2E3224
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSM35GD120DN2E3224 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
N
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Verhexen
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.7 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
150 nA
Pd - Verlustleistung:
280 W
Paket / Koffer:
EconoPACK 2
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Tablett
Höhe:
17 mm
Länge:
107.5 mm
Breite:
45 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
IGBTs
Teil # Aliase:
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
Gewichtseinheit:
6.490409 oz
Tags
BSM35GD120DN2E3224, BSM35GD120DN2E3, BSM35GD120DN2E, BSM35GD120DN, BSM35GD120D, BSM35GD, BSM35, BSM3, BSM
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ser
IGBT - Standard Modules 1200V 35A 3-PHASE
***omponent
IGBT Power Module, 1200V 50A ECONOPACK 2K C67070-A2506-A67. Maximum Ratings. Parameter Symbol Values Unit. Collector-emitter voltage VCE 1200 V. Collector-gate voltage. RGE = 20 kO. VCGR. 1200
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
DISTI # BSM35GD120DN2E3224BOSA1-ND		Infineon Technologies AGIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray		Limited Supply - Call
  • 10:$104.7230
BSM35GD120DN2E3224
DISTI # SP000091898		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom 280W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R (Alt: SP000091898)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tape and Reel		Europe - 8
  • 1:€104.7900
  • 10:€96.0900
  • 25:€92.1900
  • 50:€88.6900
  • 100:€85.3900
  • 500:€82.2900
  • 1000:€76.7900
BSM35GD120DN2E3224
DISTI # BSM35GD120DN2E3224		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom 280W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R (Alt: BSM35GD120DN2E3224)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tape and Reel		Asia - 0
  • 10:$96.9257
  • 20:$94.2333
  • 30:$91.6865
  • 50:$89.2737
  • 100:$88.1143
  • 250:$86.9846
  • 500:$85.8835
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
DISTI # BSM35GD120DN2E3224BOSA1		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom 280W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R - Trays (Alt: BSM35GD120DN2E3224BOSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray		Americas - 0
  • 10:$97.6900
  • 20:$94.1900
  • 40:$90.7900
  • 60:$87.6900
  • 100:$86.1900
BSM35GD120DN2E3224
DISTI # 641-BSM35GD120DN2E32		Infineon Technologies AGIGBT Modules N-CH 1.2KV 50A
RoHS: Not compliant		24
  • 1:$108.5600
  • 5:$106.5700
  • 10:$101.7700
BSM35GD120DN2E3224Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
RoHS: Compliant		Europe - 20
    BSM35GD120DN2E3224BOSA1
    DISTI # XSKDRABV0032779    		Infineon Technologies AG 
    RoHS: Compliant    		10
    • 10:$132.3600
    Bild Teil # Beschreibung
    OPA544T

    Mfr.#: OPA544T

    OMO.#: OMO-OPA544T

    		 Operational Amplifiers - Op Amps Hi-Vltg Hi-Current Op Amp
    LT1013DIDR

    Mfr.#: LT1013DIDR

    OMO.#: OMO-LT1013DIDR

    		 Precision Amplifiers Dual Prec Op Amp
    ULQ2003ADR

    Mfr.#: ULQ2003ADR

    OMO.#: OMO-ULQ2003ADR

    		 Darlington Transistors Darlington
    IRFR5410TRPBF

    Mfr.#: IRFR5410TRPBF

    OMO.#: OMO-IRFR5410TRPBF

    		 MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
    V14H550P

    Mfr.#: V14H550P

    OMO.#: OMO-V14H550P

    		 Varistors 550V 6500A 180pF 14mm Radial
    OPA544T

    Mfr.#: OPA544T

    OMO.#: OMO-OPA544T-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 Operational Amplifiers - Op Amps Hi-Vltg Hi-Current Op Amp
    LT1013DIDR

    Mfr.#: LT1013DIDR

    OMO.#: OMO-LT1013DIDR-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 Operational Amplifiers - Op Amps Dual Prec Op Amp
    CRGH1206F10R

    Mfr.#: CRGH1206F10R

    OMO.#: OMO-CRGH1206F10R-TE-CONNECTIVITY-AMP

    		 Thick Film Resistors - SMD CRGH1206 1% 10R 0.5W
    TWW5J30RE

    Mfr.#: TWW5J30RE

    OMO.#: OMO-TWW5J30RE-OHMITE

    		 Wirewound Resistors - Through Hole 5watt 30ohm 5% Vertical Mount
    ULQ2003ADR

    Mfr.#: ULQ2003ADR

    OMO.#: OMO-ULQ2003ADR-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 Darlington Transistors Darlington
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    21
    Auf Bestellung:
    2004
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von BSM35GD120DN2E3224 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    108,55 $
    108,55 $
    5
    106,56 $
    532,80 $
    10
    101,76 $
    1 017,60 $
    25
    98,37 $
    2 459,25 $
    100
    91,60 $
    9 160,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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