DMS3014SFGQ-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI3333-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

45.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

6.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

24.4 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.5 ns

Tags

DMS3014SF, DMS3014, DMS301, DMS30, DMS3, DMS