IXTT440N04T4HV

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

440 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.25 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

480 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

940 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

110 S

Abfallzeit:

74 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

250 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

120 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

44 ns

Gewichtseinheit:

0.141096 oz

Tags

IXTT4, IXTT, IXT