DMP3085LSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.8 A, 5.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

70 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP3085

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.8 S

Abfallzeit:

14.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.8 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMP308, DMP30, DMP3, DMP