PMV75UP,215

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

77 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

900 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

15 S

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

120 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

PMV75, PMV7, PMV