IXTH80N20L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

32 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

180 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

520 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXTH80N20

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

30 S

Abfallzeit:

29 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

44 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

72 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

29 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTH80, IXTH8, IXTH, IXT