DMN601DMK-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

305 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

304 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

225 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN60

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

100 mS

Abfallzeit:

9.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.9 ns

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

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